IGBT器件的发展趋势是减小体积和降低功耗，以节省能源和促进环保。下一代功率器件将向低功耗、高速开关、高EMC、高可靠性、智能化以及表面安装等方面发展。这有赖于芯片自身的改善，包括结构的改善、性能的改善以及采用新型的半导体材料。东芝电子亚洲有限公司半导体部工程师郭树坤称，Toshiba对其未来功率器件提出的目标就是节省能源。该公司正在研制新一代功率器件IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)，通过注入少数载流子减小体电阻，并增加功率(高电压/大电流)，其特性包括自保持功能和高速开关，将广泛应用于大功率设备，如牵引机车、工业设备和功率控制系统。